- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Chemnitz, Technische Universität Chemnitz, Dissertation, 2021
- Schlagwort
-
Leistungshalbleiter
MOS-FET
Elektrische Leistung
Leistungselektronik
Bauelement
Dielektrikum
Dielektrikum
Leistungshalbleiter
Elektrischer Durchbruch
IGBT
Diode
MOS-FET
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Chemnitz
- (wer)
-
Technische Universität Chemnitz
- (wann)
-
2021
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Lutz, Josef
Bakran, Mark-Matthias
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa2-757289
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:29 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Beier-Möbius, Menia
- Lutz, Josef
- Bakran, Mark-Matthias
- Technische Universität Chemnitz
Entstanden
- 2021
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