Does carrier velocity saturation help to enhance f max in graphene field-effect transistors?

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Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: 10.1039/C9NA00733D

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
(wann)
2020
Urheber
Feijoo, Pedro C.
Pasadas, Francisco
Bonmann, Marlene
Asad, Muhammad
Yang, Xinxin
Generalov, Andrey
Vorobiev, Andrei
Banszerus, Luca
Stampfer, Christoph
Otto, Martin
Neumaier, Daniel
Stake, Jan
Jiménez, David

DOI
10.18154/RWTH-2020-10714
URN
urn:nbn:de:101:1-2021021207360733428425
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:46 MEZ

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Beteiligte

  • Feijoo, Pedro C.
  • Pasadas, Francisco
  • Bonmann, Marlene
  • Asad, Muhammad
  • Yang, Xinxin
  • Generalov, Andrey
  • Vorobiev, Andrei
  • Banszerus, Luca
  • Stampfer, Christoph
  • Otto, Martin
  • Neumaier, Daniel
  • Stake, Jan
  • Jiménez, David
  • Universitätsbibliothek der RWTH Aachen

Entstanden

  • 2020

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