High-rate atomic layer deposition of Al2O3 for the surface passivation of Si solar cells

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
In: Werner, F.; Stals, W.; Görtzen, R.; Veith, B.; Brendel, Rolf et al.: High-rate atomic layer deposition of Al2O3 for the surface passivation of Si solar cells. In: Energy Procedia 8 (2011), S. 301-306. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2011.06.140

Event
Veröffentlichung
(where)
Hannover, Hannover
(who)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)
(when)
2011
Creator
Werner, Florian
Stals, Walter
Görtzen, Roger
Veith, Boris
Brendel, Rolf
Schmidt, Jan

DOI
10.15488/1153
URN
urn:nbn:de:101:1-2020071506153344624453
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
25.03.2025, 1:49 PM CET

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  • Werner, Florian
  • Stals, Walter
  • Görtzen, Roger
  • Veith, Boris
  • Brendel, Rolf
  • Schmidt, Jan
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)

Time of origin

  • 2011

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