Hochschulschrift
Intersubbandelektrolumineszenz im mittleren Infrarot von GaAs-AlGaAs-Quantendrahtkaskadenstrukturen hergestellt mittels Überwachsen von Spaltflächen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
IV, 156 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Regensburg, Univ., Diss., 2003 (Nicht für den Austausch)
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Aluminiumarsenid
Infrarotlumineszenz
Quantendraht
Quantenkaskadenlaser
Infrarotquelle ; Infrarot-Spektrum ; Infrarotlumineszenz ; Infrarotemission ; Infrarotbauelement ; Quantenkaskadenlaser ; Galliumarsenid-Bauelement ; Quantendraht
- Urheber
-
Schmult, Stefan
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schmult, Stefan
Ähnliche Objekte (12)
Intersubbandelektrolumineszenz im mittleren Infrarot von GaAs-AlGaAs-Quantendrahtkaskadenstrukturen hergestellt mittels Überwachsen von Spaltflächen
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
Optoelektronische Eigenschaften von InGaAs/GaAs- und InGaAs/AlGaAs-Quantenfilmdetektoren für das langwellige und mittlere Infrarot
Untersuchungen zur Herstellung und Diagnostik von Gasphasenepitaxieschichten, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3 [Ga-GaAs-AsCl-H-NH]
Wachstumskinetik und Materialeigenschaften von Galliumarsenid, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3-(SiCl4) [Ga-GaAs-AsCl-H-NH-SiCl]
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Intersubbandelektrolumineszenz im mittleren Infrarot von GaAs-AlGaAs-Quantendrahtkaskadenstrukturen hergestellt mittels Überwachsen von Spaltflächen
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
Optoelektronische Eigenschaften von InGaAs/GaAs- und InGaAs/AlGaAs-Quantenfilmdetektoren für das langwellige und mittlere Infrarot
Untersuchungen zur Herstellung und Diagnostik von Gasphasenepitaxieschichten, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3 [Ga-GaAs-AsCl-H-NH]
Wachstumskinetik und Materialeigenschaften von Galliumarsenid, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3-(SiCl4) [Ga-GaAs-AsCl-H-NH-SiCl]
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Oberfächenemittierende Laserdioden mit Vertikalresonator im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Intersubbandelektrolumineszenz im mittleren Infrarot von GaAs-AlGaAs-Quantendrahtkaskadenstrukturen hergestellt mittels Überwachsen von Spaltflächen
In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen sowie Ferninfrarot-Spektroskopie an AlGaAs-, GaAs-Quantendrähten
Optoelektronische Eigenschaften von InGaAs/GaAs- und InGaAs/AlGaAs-Quantenfilmdetektoren für das langwellige und mittlere Infrarot
Untersuchungen zur Herstellung und Diagnostik von Gasphasenepitaxieschichten, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3 [Ga-GaAs-AsCl-H-NH]
Wachstumskinetik und Materialeigenschaften von Galliumarsenid, hergestellt im System Ga-GaAs-AsCl3-H2-NH3-(SiCl4) [Ga-GaAs-AsCl-H-NH-SiCl]
Untersuchung von miniaturisierten GaAs-AlGaAs-Feldeffekttransistoren und GaAs-InGaAs-AlGaAs-Flash-Speichern
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Molekularstrahlepitaxie von AlGaAs-GaAs-InGaAs/GaAs-Vielfachschichten für Laserdioden mit Vertikalresonator
Optische Spektroskopie an zweidimensionalen Lochsystemen in GaAs-AlGaAs-Quantenwells und an GaAs-AlGaAs-GaMnAs-Schichtstrukturen
Interdiffusion von GaAs/AlGaAs- und pseudomorphen InGaAs/GaAs-Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Anwendungen
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs