Hochschulschrift

Optoelektronische Eigenschaften von InGaAs/GaAs- und InGaAs/AlGaAs-Quantenfilmdetektoren für das langwellige und mittlere Infrarot

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
139 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Freiburg (Breisgau), Univ., 2002 (Nur beschränkt für den Austausch)

Schlagwort
Indiumarsenid
Galliumarsenid
Aluminiumarsenid
Quantenwell
Infrarotdetektor

Urheber
Rehm, Robert

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
03.01.2025, 14:33 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Rehm, Robert

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