Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle : Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
71 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
93 Ill. u. graph. Darst.
Mit 93 Abb., 11 Literaturstellen.
- Erschienen in
-
Forschungsbericht ; T 76,33 : Elektronik
- Schlagwort
-
Thyristor
Dotierung (Halbleitertechnik)
Kristallzüchtung
Silizium
Thyristor
Kristallzüchtung
Silicium
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
München
- (wer)
-
Zentralstelle für Luft- u. Raumfahrtdokumentation u. -information (ZLDI) d. Dt. Forschungs- u. Versuchsanst. für Luft- u. Raumfahrt e.V.
- (wann)
-
1976
- Urheber
-
Keller, Wolfgang
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:55 MESZ
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Beteiligte
- Keller, Wolfgang
- Deutschland. Bundesminister für Forschung und Technologie, Bundesrepublik
- Zentralstelle für Luft- u. Raumfahrtdokumentation u. -information (ZLDI) d. Dt. Forschungs- u. Versuchsanst. für Luft- u. Raumfahrt e.V.
Entstanden
- 1976
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