Gezielte Herstellung von radialen Profilen des spezifischen Widerstands phosphordotierter, versetzungsfreier Siliciumeinkristalle : Silicium für überkopfzündfeste Thyristoren

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Dimensions
30 cm
Extent
71 S.
Edition
Als Ms. gedr.
Language
Deutsch
Notes
93 Ill. u. graph. Darst.
Mit 93 Abb., 11 Literaturstellen.

Bibliographic citation
Forschungsbericht ; T 76,33 : Elektronik

Keyword
Thyristor
Dotierung (Halbleitertechnik)
Kristallzüchtung
Silizium
Thyristor
Kristallzüchtung
Silicium

Event
Veröffentlichung
(where)
München
(who)
Zentralstelle für Luft- u. Raumfahrtdokumentation u. -information (ZLDI) d. Dt. Forschungs- u. Versuchsanst. für Luft- u. Raumfahrt e.V.
(when)
1976
Creator
Keller, Wolfgang

Table of contents
Rights
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Last update
11.06.2025, 1:55 PM CEST

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Time of origin

  • 1976

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