Hochschulschrift
Laseremission und Hochanregungseffekte in A1xGa1_346xAs mit indirekter Bandlücke
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
II, 102 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
zahlr. graph. Darst.
Karlsruhe, Univ., Diss., 1996
- Schlagwort
-
Aluminiumarsenid
Galliumarsenid
Heterostruktur
Halbleiterlaser
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:24 MESZ
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Objekttyp
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