Hochschulschrift

RT-Level power-gating models optimizing dynamic leakage-management

Weitere Titel
Power-Gating Modelle auf RT-Ebene zur Optimierung des dynamischen Leckstrom-Managements
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Oldenburg, Universität Oldenburg, Diss., 2012

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Verluststrom ; Transistor ; CMOS

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Oldenburg
(wer)
IBIT - Universitätsbibliothek
(wann)
2012
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

URN
urn:nbn:de:gbv:715-oops-14731
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:45 MEZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2012

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