- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Wissenschaftlich-Technische Berichte / Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendor ; HZDR-078 2017
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Dresden
- (wer)
-
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
- (wann)
-
2017
- Urheber
-
Faßbender, Jürgen
Heera, Viton
Helm, Manfred
Zahn, Peter
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:d120-qucosa-220503
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:53 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Faßbender, Jürgen
- Heera, Viton
- Helm, Manfred
- Zahn, Peter
- Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Entstanden
- 2017
Ähnliche Objekte (12)
Annual Report 2021 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Annual Report 2010 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Annual Report 2015 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
![Zum Aufbau eines Systems physikalischer Denk[methoden] und Arbeitsmethoden und seiner Vermittlung in der physikalischen Grundausbildung der Hochschule](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Zum Aufbau eines Systems physikalischer Denk[methoden] und Arbeitsmethoden und seiner Vermittlung in der physikalischen Grundausbildung der Hochschule
Zu inhaltlichen und methodischen Problemen der physikalischen Grundvorlesung der Hochschule : Untersucht an d. Darst. d. Wellenoptik
Helm, Manfred - Eltener Straße
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research: Annual Report 2002
Hyperdoping Si with deep-level impurities by ion implantation and sub-second annealing
Highly Mismatched GaAs(1-x)N(x) and Ge(1-x)Sn(x) Alloys Prepared by Ion Implantation and Ultrashort Annealing
Terahertz emission based on large-area photoconductive emitters illuminated via beam interference
Leitwertkontrolle einzelner elektrisch kontaktierter Moleküle
Optoelectronic applications of heavily doped GaAs and MoSe₂/FePS₃ heterostructures
Annual Report 2021 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Annual Report 2010 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Annual Report 2015 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Zum Aufbau eines Systems physikalischer Denk[methoden] und Arbeitsmethoden und seiner Vermittlung in der physikalischen Grundausbildung der Hochschule
Zu inhaltlichen und methodischen Problemen der physikalischen Grundvorlesung der Hochschule : Untersucht an d. Darst. d. Wellenoptik
Helm, Manfred - Eltener Straße
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research: Annual Report 2002
Hyperdoping Si with deep-level impurities by ion implantation and sub-second annealing
Highly Mismatched GaAs(1-x)N(x) and Ge(1-x)Sn(x) Alloys Prepared by Ion Implantation and Ultrashort Annealing
Terahertz emission based on large-area photoconductive emitters illuminated via beam interference
Leitwertkontrolle einzelner elektrisch kontaktierter Moleküle
Optoelectronic applications of heavily doped GaAs and MoSe₂/FePS₃ heterostructures
Annual Report 2021 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Annual Report 2010 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Annual Report 2015 - Institute of Ion Beam Physics and Materials Research
Zum Aufbau eines Systems physikalischer Denk[methoden] und Arbeitsmethoden und seiner Vermittlung in der physikalischen Grundausbildung der Hochschule
Zu inhaltlichen und methodischen Problemen der physikalischen Grundvorlesung der Hochschule : Untersucht an d. Darst. d. Wellenoptik
Helm, Manfred - Eltener Straße
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research: Annual Report 2002
Hyperdoping Si with deep-level impurities by ion implantation and sub-second annealing
Highly Mismatched GaAs(1-x)N(x) and Ge(1-x)Sn(x) Alloys Prepared by Ion Implantation and Ultrashort Annealing
Terahertz emission based on large-area photoconductive emitters illuminated via beam interference
Leitwertkontrolle einzelner elektrisch kontaktierter Moleküle