Hochschulschrift
Gate-Last-Prozessintegration und elektrische Bewertung von High-k-Dielektrika und Metall-Elektroden in MOS-Bauelementen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2011
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Creator
- URN
-
urn:nbn:de:tuda-tuprints-25017
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
29.02.2024, 1:55 PM CET
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
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Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie
Entwicklung eines Qualitätsanalysesystems für high-k Dielektrika in MOS-Bauelementen
Simulation und vergleichende elektrische Bewertung von planaren und 3D-MOS-Strukturen mit HighκB-Gate-Dielektrika [High-kappa-Gate-Dielektrika]
Grenzflächenzustandsanalysen in MOS-Bauelementen
Gate Stack Engineering mit atomar selbstlimitierenden Dielektrika
Selbstorganisierende Monolagen als Gate-Dielektrika für organische Transistoren
Neuartige Metallelektroden und Dielektrika für die MOS-Technologie
Entwicklung von MOS-Bauelementen, insbesondere deren monolithische Integration
Degradation von MOS-Bauelementen durch optische Generation von Ladungsträgern
Ab-initio-Berechnung elektrischer Eigenschaften von Dielektrika für neuartige Gate-Isolator-Schichtsyteme zukünftiger MOSFETs
Herstellung von Multi-Gate-Strukturen zur Realisierung von elektrostatisch konfigurierbaren Bauelementen
Lokalfeldeffekte in nichtlinearen Dielektrika
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Neuartige Metallelektroden und Dielektrika für die MOS-Technologie
Entwicklung von MOS-Bauelementen, insbesondere deren monolithische Integration
Degradation von MOS-Bauelementen durch optische Generation von Ladungsträgern
Ab-initio-Berechnung elektrischer Eigenschaften von Dielektrika für neuartige Gate-Isolator-Schichtsyteme zukünftiger MOSFETs
Herstellung von Multi-Gate-Strukturen zur Realisierung von elektrostatisch konfigurierbaren Bauelementen
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