Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

Hochschulschrift

Angaben zum Objekt

• Weitere Titel: Detection of material defects in 4H SiC and their impact on electrical failure modes of SiC MOSFETs
• Standort: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• Umfang: Online-Ressource
• Sprache: Deutsch
• Anmerkungen: Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2022

Verweise und Beziehungen

• Erschienen in: FAU Studien aus der Elektrotechnik ; 18

Klassifikation und Themen

• Klassifikation: Elektrotechnik, Elektronik
• Schlagwort: MOS-FET ; Siliciumcarbid ; Kristallzüchtung ; Gitterbaufehler ; Ausfallwahrscheinlichkeit ; Siliciumcarbid ; Leistungselektronik ; Siliciumcarbid ; Homoepitaxie ; Halbleitertechnologie ; Materialcharakterisierung ; Photolumineszenz ; Defekt ; Elektronisches Bauelement

Beteiligte, Orts- und Zeitangaben

• Ereignis: Veröffentlichung
• (wo): Erlangen
• (wer): FAU University Press
• (wann): 2023
• Urheber: Baierhofer, Daniel
• Beteiligte Personen und Organisationen: Erlbacher, Tobias ; Fischer, Georg

Weitere Informationen

• DOI: 10.25593/978-3-96147-620-6
• URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus4-214951
• Rechteinformation: Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
• Letzte Aktualisierung: 15.08.2025, 07:33 MESZ