Hochschulschrift
Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783961476190
3961476195
- Maße
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24 cm
- Umfang
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xviii, 243 Seiten
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Illustrationen, Diagramme
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2022
- Erschienen in
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FAU-Studien aus der Elektrotechnik ; Band 18
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
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MOS-FET
Siliciumcarbid
Kristallzüchtung
Gitterbaufehler
Ausfallwahrscheinlichkeit
Siliciumcarbid
Homoepitaxie
Halbleitertechnologie
Materialcharakterisierung
Photolumineszenz
Defekt
Elektronisches Bauelement
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Erlangen
- (wer)
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FAU University Press
- (wann)
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2023
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 14:26 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Baierhofer, Daniel
- FAU University Press
Entstanden
- 2023