Hochschulschrift

Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783961476190
3961476195
Maße
24 cm
Umfang
xviii, 243 Seiten
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Illustrationen, Diagramme
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2022

Erschienen in
FAU-Studien aus der Elektrotechnik ; Band 18

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
MOS-FET
Siliciumcarbid
Kristallzüchtung
Gitterbaufehler
Ausfallwahrscheinlichkeit
Siliciumcarbid
Homoepitaxie
Halbleitertechnologie
Materialcharakterisierung
Photolumineszenz
Defekt
Elektronisches Bauelement

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Erlangen
(wer)
FAU University Press
(wann)
2023
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:26 MESZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2023

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