Hochschulschrift
Herstellung und Untersuchung der elektronischen Eigenschaften des GaAs-Dotierungsübergitters
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
111 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
48 Ill., 7 graph. Darst.
Stuttgart, Univ., Fak. 12 - Physik, Diss., 1981
- Schlagwort
-
Dotierung
GaAs
Galliumarsenid
Dotierung
Galliumarsenid-Bauelement
Galliumarsenid
- Urheber
-
Künzel, Harald
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:15 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Künzel, Harald
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