Hochschulschrift
Randeinflüsse und Energieaufspaltungen an n-leitenden Silizium-Inversionsrandschichten im Magnetfeld
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
71 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Würzburg, Univ., Diss., 1985 (Nicht f.d. Austausch)
- Schlagwort
-
Halbleiterbauelemente
MOS-Feldeffekttransistor
Halbleiterbauelement
- Urheber
-
Dato, Paul
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:55 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Dato, Paul
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