A counter-based read circuit tolerant to process variation for low-voltage operating STT-MRAM

Angaben zum Objekt

• Standort: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• Umfang: Online-Ressource
• Sprache: Englisch

Klassifikation und Themen

• Klassifikation: Elektrotechnik, Elektronik

Beteiligte, Orts- und Zeitangaben

• Ereignis: Veröffentlichung
• (wo): Kaiserslautern
• (wer): Technische Universität Kaiserslautern, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
• (wann): 2016
• Beteiligte Personen und Organisationen: Umeki, Yohei ; Yanagida, Koji ; Kurotsu, Hiroaki ; Kitahara, Hiroto ; Mori, Haruki ; Izumi, Shintaro ; Yoshimoto, Masahiko ; Kawaguchi, Hiroshi ; Yoshimoto, Shusuke

Weitere Informationen

• URN: urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-43224
• Rechteinformation: Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
• Letzte Aktualisierung: 14.08.2025, 10:48 MESZ