Hochschulschrift

Relaxationsphänomene in keramischen Dünnschichten für zukünftige hochintegrierte Halbleiterspeicher

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783183535057
318353505X
Dimensions
21 cm
Extent
IX, 151 S.
Edition
Als Ms. gedr.
Language
Deutsch
Notes
graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss.

Bibliographic citation
Fortschrittberichte VDI / 5 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 535, Reihe 5

Keyword
Halbleiterspeicher
Titanatkeramik
MOCVD-Verfahren
Dünne Schicht
Dielektrische Relaxation
Ferroelektrizität
Halbleiterspeicher
PLZT-Keramik
Dünne Schicht
Dielektrische Relaxation
Ferroelektrizität
Halbleiterspeicher
Tantalate
Oxidkeramik
Dünne Schicht
Dielektrische Relaxation
Ferroelektrizität

Event
Veröffentlichung
(where)
Düsseldorf
(who)
VDI-Verl.
(when)
1998
Creator

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Last update
11.06.2025, 2:01 PM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift

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Time of origin

  • 1998

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