Metal semiconductor metal photodiodes based on all-epitaxial Ge-on-insulator-on-Si(111), grown by molecular beam epitaxy

Angaben zum Objekt

• Standort: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• Umfang: Online-Ressource
• Sprache: Englisch

Verweise und Beziehungen

• Erschienen in: In: Pokharia, R.S.; Khiangte, K.R.; Rathore, J.S.; Schmidt, J.; Osten, H.J. et al.: Metal semiconductor metal photodiodes based on all-epitaxial Ge-on-insulator-on-Si(111), grown by molecular beam epitaxy. In: Proceedings of SPIE 10914 (2019), 1091417. DOI: https://doi.org/10.1117/12.2509720

Beteiligte, Orts- und Zeitangaben

• Ereignis: Veröffentlichung
• (wo): Hannover, Hannover
• (wer): Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Technische Informationsbibliothek (TIB)
• (wann): 2019
• Urheber: Pokharia, R.S. ; Khiangte, K.R. ; Rathore, J.S. ; Schmidt, J. ; Osten, H.J. ; Laha, A. ; Mahapatra, S.

Weitere Informationen

• DOI: 10.15488/10267
• URN: urn:nbn:de:101:1-2020121001132649530836
• Rechteinformation: Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
• Letzte Aktualisierung: 25.03.2025, 13:46 MEZ