Photoluminescence from GaN layers at high temperatures as a candidate for in situ monitoring in MOVPE

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch

Erschienen in
In: Journal of Crystal Growth, 397, 2014, S. 24-28

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Mülheim an der Ruhr
(wer)
Hochschule Ruhr West, Hochschulbibliothek
(wann)
2019
Urheber
Prall, Christoph
Rübesam, M.
Weber, C.
Reufer, Martin
Rüter, Dirk

DOI
10.1016/j.jcrysgro.2014.04.001
URN
urn:nbn:de:hbz:1393-opus4-862
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:50 MEZ

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Beteiligte

  • Prall, Christoph
  • Rübesam, M.
  • Weber, C.
  • Reufer, Martin
  • Rüter, Dirk
  • Hochschule Ruhr West, Hochschulbibliothek

Entstanden

  • 2019

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