Hochschulschrift

Modellierung von transienten Effekten bei der Diffusion von Bor in Silicium

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783832207076
3832207074
Maße
21 cm
Umfang
VIII, 190 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2002

Erschienen in
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Bd. 2002,1

Schlagwort
Silicium
Ionenimplantation
Bor
Diffusion
Modellierung

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Shaker
(wann)
2002
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 11:50 MEZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2002

Ähnliche Objekte (12)