Hochschulschrift
Modellierung von transienten Effekten bei der Diffusion von Bor in Silicium
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783832207076
3832207074
- Maße
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21 cm
- Umfang
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VIII, 190 S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2002
- Erschienen in
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Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Bd. 2002,1
- Schlagwort
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Silicium
Ionenimplantation
Bor
Diffusion
Modellierung
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:50 MEZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Stiebel, Dorothée
- Shaker
Entstanden
- 2002