Coding and bounds for partially defective memory cells

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
Coding and bounds for partially defective memory cells ; volume:91 ; number:12 ; day:24 ; month:8 ; year:2023 ; pages:4019-4058 ; date:12.2023
Designs, codes and cryptography ; 91, Heft 12 (24.8.2023), 4019-4058, 12.2023

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Urheber
Al Kim, Haider
Puchinger, Sven
Tolhuizen, Ludo
Wachter-Zeh, Antonia
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1007/s10623-023-01270-0
URN
urn:nbn:de:101:1-2024012213253545593547
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
2025-08-15T07:37:02+0200

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Beteiligte

  • Al Kim, Haider
  • Puchinger, Sven
  • Tolhuizen, Ludo
  • Wachter-Zeh, Antonia
  • SpringerLink (Online service)

Ähnliche Objekte (12)