Two-stage permanent deactivation of the boron-oxygen-related recombination center in crystalline silicon

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Steckenreiter, V.; Walter, D.C.; Schmidt, J.: Two-stage permanent deactivation of the boron-oxygen-related recombination center in crystalline silicon. In: Energy Procedia 124 (2017), S. 799-805. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.350

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover
(wer)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
(wann)
2017
Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Hannover
(wer)
Technische Informationsbibliothek (TIB)
(wann)
2017
Urheber
Steckenreiter, V.
Walter, D.C.
Schmidt, J.

DOI
10.15488/2283
URN
urn:nbn:de:101:1-2020071616054463545895
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:50 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Steckenreiter, V.
  • Walter, D.C.
  • Schmidt, J.
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
  • Technische Informationsbibliothek (TIB)

Entstanden

  • 2017

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