Two-stage permanent deactivation of the boron-oxygen-related recombination center in crystalline silicon

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
In: Steckenreiter, V.; Walter, D.C.; Schmidt, J.: Two-stage permanent deactivation of the boron-oxygen-related recombination center in crystalline silicon. In: Energy Procedia 124 (2017), S. 799-805. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.350

Event
Veröffentlichung
(where)
Hannover
(who)
Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
(when)
2017
Event
Veröffentlichung
(where)
Hannover
(who)
Technische Informationsbibliothek (TIB)
(when)
2017
Creator
Steckenreiter, V.
Walter, D.C.
Schmidt, J.

DOI
10.15488/2283
URN
urn:nbn:de:101:1-2020071616054463545895
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:50 AM CEST

Data provider

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  • Steckenreiter, V.
  • Walter, D.C.
  • Schmidt, J.
  • Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
  • Technische Informationsbibliothek (TIB)

Time of origin

  • 2017

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