Hochschulschrift
Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
30 cm
- Extent
-
97 Bl.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Jena, Univ., Diss., 2004 (Nicht für den Austausch)
- Classification
-
Physik
- Keyword
-
Dotierter Halbleiter
Galliumarsenid
Galliumnitrid
Radioindikator
DLTS
Radioindikator ; Dotierter Halbleiter
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.03.2025, 11:40 AM CET
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
Other Objects (12)
Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie
Kapazitätstransientenspektroskopie versetzungsinduzierter tiefer Störstellen in GaAs
Bivalente Störstellen in Silizium, Germanium und GaAs
Untersuchung tiefer Störstellen in GaAs mittels PICTS-Methode
Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
Raman-Spektroskopie an Quantentöpfen auf GaAs
Thermische und optische Untersuchungen tiefer Störstellen in GaP, GaAs0,1P0,9 [GaAs-P] und GaAs durch DLTS
Infrarot-Emissivitäts-Spektroskopie an Störstellen in Halbleitern
Zeitaufgelöster Ladungsträgertransport in Metall-Halbleiter-Metall Photodetektoren auf GaAs
Zur chemischen und elektronischen Struktur von Heteroübergängen zwischen Ge und den III-V-Halbleitern [Halbleitern] GaP, GaAs und GaSb
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Strukturbildung nahe der Stoßionisationsinstabilität in dotiertem GaAs : Elmsfeuer in Halbleitern
Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie
Kapazitätstransientenspektroskopie versetzungsinduzierter tiefer Störstellen in GaAs
Bivalente Störstellen in Silizium, Germanium und GaAs
Untersuchung tiefer Störstellen in GaAs mittels PICTS-Methode
Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
Raman-Spektroskopie an Quantentöpfen auf GaAs
Thermische und optische Untersuchungen tiefer Störstellen in GaP, GaAs0,1P0,9 [GaAs-P] und GaAs durch DLTS
Infrarot-Emissivitäts-Spektroskopie an Störstellen in Halbleitern
Zeitaufgelöster Ladungsträgertransport in Metall-Halbleiter-Metall Photodetektoren auf GaAs
Zur chemischen und elektronischen Struktur von Heteroübergängen zwischen Ge und den III-V-Halbleitern [Halbleitern] GaP, GaAs und GaSb
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden
Strukturbildung nahe der Stoßionisationsinstabilität in dotiertem GaAs : Elmsfeuer in Halbleitern
Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie
Kapazitätstransientenspektroskopie versetzungsinduzierter tiefer Störstellen in GaAs
Bivalente Störstellen in Silizium, Germanium und GaAs
Untersuchung tiefer Störstellen in GaAs mittels PICTS-Methode
Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
Raman-Spektroskopie an Quantentöpfen auf GaAs
Thermische und optische Untersuchungen tiefer Störstellen in GaP, GaAs0,1P0,9 [GaAs-P] und GaAs durch DLTS
Infrarot-Emissivitäts-Spektroskopie an Störstellen in Halbleitern
Zeitaufgelöster Ladungsträgertransport in Metall-Halbleiter-Metall Photodetektoren auf GaAs
Zur chemischen und elektronischen Struktur von Heteroübergängen zwischen Ge und den III-V-Halbleitern [Halbleitern] GaP, GaAs und GaSb
Hochfrequenzverhalten von GaAs, AlGaAs und pseudomorphenen InGaAs, GaAs Mehrfach-Quantenfilm-Laserdioden