Hochschulschrift

Angeregtes GaAs : Indizien für Effekte der Blochoszillation in einem natürlichen Halbleiter

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
II, 98 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Regensburg, Univ., Diss., 2002 (Nicht für den Austausch)

Schlagwort
Galliumarsenid
Angeregter Zustand
Bloch-Gleichungen
FIR-Spektroskopie
Halbleiter ; Elektrische Leitfähigkeit ; FIR ; Angeregter Zustand ; Bandstruktur

Urheber
Summer, Raimund Franz

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:01 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Summer, Raimund Franz

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