Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente : mit 29 Tabellen

Das Buch beschreibt die Konzepte Silizium basierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden. Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen. TOC:Logik- und Speicherstrukturen. - Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Silizium-basierter CMOS-Logik und Hochfrequenz-Technologie.- Silizium-Speicherstrukturen basierend auf vertikalen bzw. quasivertikalen (Auswahl-)Transistoren.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte der Silizium-basierten MOS-Leistungselektronik.- Zusammenfassung und Ausblick.- Literatur- und Sachverzeichnis

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• Location: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• ISBN: 9783540234371 ; 3540234373
• Dimensions: 24 cm
• Extent: XVIII, 428 S.
• Language: Deutsch
• Notes: Ill., graph. Darst. ; Literaturverz. S. 409 - 428

References and Relationships

• Bibliographic citation: Halbleiter-Elektronik ; Bd. 23

Classification and Topics

• Classification: Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
• Keyword: Halbleiterbauelement ; MOS ; MOS-FET ; SOI-Technik

Contributors, Places and Time

• Event: Veröffentlichung
• (where): Berlin, Heidelberg, New York
• (who): Springer
• (when): 2005
• Creator: Schulze, Jörg

Further information

• Table of contents: https://d-nb.info/972613862/04
• Rights: Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.