Silizium-Planartechnologie : Grundprozesse, Physik und Bauelemente

Lehrbuch

Inhalt:Technologische Grundprozesse - Grundlagen der Halbleiterphysik für Siliziumbauelemente - Integrierte Widerstände und Kondensatoren - Der pn-Übergang - Der Metall-Halbleiter-Kontakt - Die Halbleiteroberfläche anhand des MOS-Varaktors - Der reale MOS-Transistor - Herstellungsprozess von HalbleiterbauelementenDie Grundlagen der Mikroelektronik werden kompakt und in leicht verständlicher Form vorgestellt. Der Leser erfährt, wie integrierte Schalkreise hergestellt werden, wie sie funktionieren und welche Bauelemente sich realisieren lassen.

Angaben zum Objekt

• Standort: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• ISBN: 9783519004677 ; 3519004674
• Maße: 24 cm
• Umfang: XVII, 212 S.
• Ausgabe: 1. Aufl.
• Sprache: Deutsch
• Anmerkungen: graph. Darst.

Klassifikation und Themen

• Klassifikation: Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
• Schlagwort: Planartechnik ; Siliciumbauelement

Beteiligte, Orts- und Zeitangaben

• Ereignis: Veröffentlichung
• (wo): Stuttgart, Leipzig, Wiesbaden
• (wer): Teubner
• (wann): 2003
• Urheber: Wagemann, Hans-Günther ; Schönauer, Tim

Weitere Informationen

• Inhaltsverzeichnis: https://d-nb.info/969303513/04
• Rechteinformation: Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
• Letzte Aktualisierung: 11.03.2025, 12:24 MEZ