Progress in the Sputtering Preparation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Films and Memories

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch

Bibliographic citation
Progress in the Sputtering Preparation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Films and Memories ; day:20 ; month:11 ; year:2024 ; extent:14
Advanced materials interfaces ; (20.11.2024) (gesamt 14)

Creator
Chen, Kun
Zheng, Dan
Gao, Jie
Wang, Hao
Wang, Baoyuan

DOI
10.1002/admi.202400367
URN
urn:nbn:de:101:1-2411211322088.224259112855
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:27 AM CEST

Data provider

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