Progress in the Sputtering Preparation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Films and Memories
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Progress in the Sputtering Preparation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Films and Memories ; day:20 ; month:11 ; year:2024 ; extent:14
Advanced materials interfaces ; (20.11.2024) (gesamt 14)
- Urheber
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Chen, Kun
Zheng, Dan
Gao, Jie
Wang, Hao
Wang, Baoyuan
- DOI
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10.1002/admi.202400367
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2411211322088.224259112855
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:27 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Chen, Kun
- Zheng, Dan
- Gao, Jie
- Wang, Hao
- Wang, Baoyuan