Progress in the Sputtering Preparation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Films and Memories

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Progress in the Sputtering Preparation of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Films and Memories ; day:20 ; month:11 ; year:2024 ; extent:14
Advanced materials interfaces ; (20.11.2024) (gesamt 14)

Urheber
Chen, Kun
Zheng, Dan
Gao, Jie
Wang, Hao
Wang, Baoyuan

DOI
10.1002/admi.202400367
URN
urn:nbn:de:101:1-2411211322088.224259112855
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:27 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Chen, Kun
  • Zheng, Dan
  • Gao, Jie
  • Wang, Hao
  • Wang, Baoyuan

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