Hochschulschrift
Der Einfluss eines Ultraschallenergieeintrages auf die elektrischen Eigenschaften eines Silizium-pn-Überganges
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
92, 17 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
81 Ill. u. graph. Darst.
Berlin, Humboldt-Univ., Math.-Naturwiss. Fak., Diss., 1979 (Nicht f.d. Austausch.)
- Urheber
-
Moser, Manfred
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:27 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Moser, Manfred
Ähnliche Objekte (12)
Sperrströme in aufgedampften Silizium-pn-Übergängen
Präparation und Eigenschaften monolithisch gesinterter Silizium p-n Übergänge für thermoelektrische Anwendungen
Präparation und Eigenschaften monolithisch gesinterter Silizium p-n Übergänge für thermoelektrische Anwendungen
Experimentelle Untersuchungen über Mikroplasma-Durchbruch an pn-Übergängen in Silizium
Bestimmung der Rekombinationsparameter aus Impedanzmessungen an pn-Übergängen in Silicium
Herstellung und Eigenschaften von Einkristallen und pn-Schichtkristallen aus Silizium
Untersuchungen der elektrischen Struktur und der elektrischen Eigenschaften von Halbleiter-pn-Strahlungsdetektoren
Herstellung von spannungsoptimierten Silizium-Membranen durch den elektrochemischen Ätzstopp an pn-Übergängen
PN-Schichten und Inversionsrandschichten bei Silizium
Lokale Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften von Korngrenzen in Silizium
Forschungsbericht: GEH - PN - Übergang
Forschungsbericht: GEH - PN - Übergang
Sperrströme in aufgedampften Silizium-pn-Übergängen
Präparation und Eigenschaften monolithisch gesinterter Silizium p-n Übergänge für thermoelektrische Anwendungen
Präparation und Eigenschaften monolithisch gesinterter Silizium p-n Übergänge für thermoelektrische Anwendungen
Experimentelle Untersuchungen über Mikroplasma-Durchbruch an pn-Übergängen in Silizium
Bestimmung der Rekombinationsparameter aus Impedanzmessungen an pn-Übergängen in Silicium
Herstellung und Eigenschaften von Einkristallen und pn-Schichtkristallen aus Silizium
Untersuchungen der elektrischen Struktur und der elektrischen Eigenschaften von Halbleiter-pn-Strahlungsdetektoren
Herstellung von spannungsoptimierten Silizium-Membranen durch den elektrochemischen Ätzstopp an pn-Übergängen
PN-Schichten und Inversionsrandschichten bei Silizium
Lokale Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften von Korngrenzen in Silizium
Forschungsbericht: GEH - PN - Übergang
Forschungsbericht: GEH - PN - Übergang
Sperrströme in aufgedampften Silizium-pn-Übergängen
Präparation und Eigenschaften monolithisch gesinterter Silizium p-n Übergänge für thermoelektrische Anwendungen
Präparation und Eigenschaften monolithisch gesinterter Silizium p-n Übergänge für thermoelektrische Anwendungen
Experimentelle Untersuchungen über Mikroplasma-Durchbruch an pn-Übergängen in Silizium
Bestimmung der Rekombinationsparameter aus Impedanzmessungen an pn-Übergängen in Silicium
Herstellung und Eigenschaften von Einkristallen und pn-Schichtkristallen aus Silizium
Untersuchungen der elektrischen Struktur und der elektrischen Eigenschaften von Halbleiter-pn-Strahlungsdetektoren
Herstellung von spannungsoptimierten Silizium-Membranen durch den elektrochemischen Ätzstopp an pn-Übergängen
PN-Schichten und Inversionsrandschichten bei Silizium
Lokale Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften von Korngrenzen in Silizium
Forschungsbericht: GEH - PN - Übergang