Investigation of GaInAs strain reducing layer combined with InAs quantum dots embedded in Ga(In)As subcell of triple junction GaInP/Ga(In)As/Ge solar cell
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Notes
-
online resource.
- Bibliographic citation
-
Investigation of GaInAs strain reducing layer combined with InAs quantum dots embedded in Ga(In)As subcell of triple junction GaInP/Ga(In)As/Ge solar cell ; volume:10 ; number:1 ; day:7 ; month:3 ; year:2015 ; pages:1-6 ; date:12.2015
Nanoscale research letters ; 10, Heft 1 (7.3.2015), 1-6, 12.2015
- Creator
-
Li, Senlin
Bi, Jingfeng
Li, Mingyang
Yang, Meijia
Song, Minghui
Liu, Guanzhou
Xiong, Weiping
Li, Yang
Fang, Yanyan
Chen, Changqing
Lin, Guijiang
Chen, Wenjun
Wu, Chaoyu
Wang, Duxiang
- Contributor
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1186/s11671-015-0821-7
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2021061721051597900486
- Rights
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
14.08.2025, 11:02 AM CEST
Data provider
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