Investigation of GaInAs strain reducing layer combined with InAs quantum dots embedded in Ga(In)As subcell of triple junction GaInP/Ga(In)As/Ge solar cell

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Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Investigation of GaInAs strain reducing layer combined with InAs quantum dots embedded in Ga(In)As subcell of triple junction GaInP/Ga(In)As/Ge solar cell ; volume:10 ; number:1 ; day:7 ; month:3 ; year:2015 ; pages:1-6 ; date:12.2015
Nanoscale research letters ; 10, Heft 1 (7.3.2015), 1-6, 12.2015

Urheber
Li, Senlin
Bi, Jingfeng
Li, Mingyang
Yang, Meijia
Song, Minghui
Liu, Guanzhou
Xiong, Weiping
Li, Yang
Fang, Yanyan
Chen, Changqing
Lin, Guijiang
Chen, Wenjun
Wu, Chaoyu
Wang, Duxiang
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/s11671-015-0821-7
URN
urn:nbn:de:101:1-2021061721051597900486
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 11:02 MESZ

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Beteiligte

  • Li, Senlin
  • Bi, Jingfeng
  • Li, Mingyang
  • Yang, Meijia
  • Song, Minghui
  • Liu, Guanzhou
  • Xiong, Weiping
  • Li, Yang
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  • Wu, Chaoyu
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