Hochschulschrift
Entwicklung und Charakterisierung von integrierten Schaltungen auf Siliciumcarbid für den Betrieb bei hohen Temperaturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783844006148
- Maße
-
21 cm, 224 g
- Umfang
-
VIII, 136 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2011
- Erschienen in
-
Erlanger Berichte Mikroelektronik ; Bd. 2011,5
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
MOS-FET
Gate-Oxid
Haftstelle
Hochtemperaturverhalten
Lebensdauer
Verknüpfungsglied
NMOS-Schaltung
CMOS-Schaltung
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:17 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Le-Huu, Martin
- Shaker
Entstanden
- 2011
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