Hochschulschrift
Herstellung und Untersuchung von GaAs-Lawinenlaufzeitdioden für 60 GHz
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
74 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
36 graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1984
- Keyword
-
Halbleiterbauelemente
Galliumarsenid
Halbleiterbauelement
Galliumarsenid
- Creator
-
Zhang, Xiangkun
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:26 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Zhang, Xiangkun
Other Objects (12)
Breitbandige Charakterisierung und Modellierung von GaAs-MESFETs und (AlGa)As/GaAs-MODFETs bis 40 GHz
Herstellung und Charakterisierung von GaAs-Gunn-Dioden für Anwendungen bei 77 GHz
Ga As Gunn oscillators reach the 140 GHz range
Dynamische Leistungsverstärkung bei GHz-Frequenzen und Speichereigenschaften von nanoelektronischen GaAs-AlGaAs-Transistoren
14 GHz bandwidth MSM photodiode AlGaAs/GaAs HEMT monolithic integrated optoelectronic receiver
An 18-34-GHz dynamic frequency divider based on 0.2-μm AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Herstellung und Charakterisierung von AlGaAs-, GaAs-Elektronenwellenleitern
Broadband 400-GHz InGaAs mHEMT transmitter and receiver S-MMICs
Phasendetektor mit GaAs-Feldeffekttransistoren für einen synchronen FM-Demodulator bei 12 GHz
Thermische und elektrische Konzeption von GaAs-HEMTs für Leistungsverstärker bis 80 GHz
Breitbandige Charakterisierung und Modellierung von GaAs-MESFETs und (AlGa)As/GaAs-MODFETs bis 40 GHz
Herstellung und Charakterisierung von GaAs-Gunn-Dioden für Anwendungen bei 77 GHz
Ga As Gunn oscillators reach the 140 GHz range
Dynamische Leistungsverstärkung bei GHz-Frequenzen und Speichereigenschaften von nanoelektronischen GaAs-AlGaAs-Transistoren
14 GHz bandwidth MSM photodiode AlGaAs/GaAs HEMT monolithic integrated optoelectronic receiver
An 18-34-GHz dynamic frequency divider based on 0.2-μm AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Herstellung und Charakterisierung von AlGaAs-, GaAs-Elektronenwellenleitern
Broadband 400-GHz InGaAs mHEMT transmitter and receiver S-MMICs
Phasendetektor mit GaAs-Feldeffekttransistoren für einen synchronen FM-Demodulator bei 12 GHz
Thermische und elektrische Konzeption von GaAs-HEMTs für Leistungsverstärker bis 80 GHz
Breitbandige Charakterisierung und Modellierung von GaAs-MESFETs und (AlGa)As/GaAs-MODFETs bis 40 GHz
Herstellung und Charakterisierung von GaAs-Gunn-Dioden für Anwendungen bei 77 GHz
Ga As Gunn oscillators reach the 140 GHz range
Dynamische Leistungsverstärkung bei GHz-Frequenzen und Speichereigenschaften von nanoelektronischen GaAs-AlGaAs-Transistoren
14 GHz bandwidth MSM photodiode AlGaAs/GaAs HEMT monolithic integrated optoelectronic receiver
An 18-34-GHz dynamic frequency divider based on 0.2-μm AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Herstellung und Charakterisierung von AlGaAs-, GaAs-Elektronenwellenleitern
Broadband 400-GHz InGaAs mHEMT transmitter and receiver S-MMICs
Phasendetektor mit GaAs-Feldeffekttransistoren für einen synchronen FM-Demodulator bei 12 GHz