Hochschulschrift
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783839601525
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
164 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2010
- Bibliographic citation
-
Science for systems ; Bd. 1
- Keyword
-
Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur
Lumineszenzdiode
Versetzung
Lumineszenzdiode ; Wide-gap-Halbleiter ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Versetzung ; Quantenwell ; MOCVD-Verfahren ; Elektrolumineszenz
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 2:23 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Maier, Markus
- Fraunhofer-Verl.
Time of origin
- 2010
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