Hochschulschrift

Untersuchung der Wachstumskinetik von SiC mithilfe der in-situ Computertomographie des Gasphasenkristallisationsprozesses und der Modellierung der Wachstumsbedingungen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783844081350
3844081356
Maße
21 cm, 249 g
Umfang
162 Seiten
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Illustrationen
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Dissertation, 2021

Schlagwort
Siliciumcarbid
Kristallzüchtung
Gasphase
Kristallwachstum
Prozessanalyse
Computertomografie
In situ
Prozessmodell

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Düren
(wer)
Shaker Verlag
(wann)
2021
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:15 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2021

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