Growth Mechanisms and Electronic Properties of Vertically Aligned MoS2

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
2045-2322
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
Growth Mechanisms and Electronic Properties of Vertically Aligned MoS2 ; volume:8 ; number:1 ; day:7 ; month:11 ; year:2018 ; pages:1-7 ; date:12.2018
Scientific reports ; 8, Heft 1 (7.11.2018), 1-7, 12.2018

Urheber
Stern, Chen
Grinvald, Shmuel
Kirshner, Moshe
Sinai, Ofer
Oksman, Mark
Alon, Hadas
Meiron, Oren E.
Bar-Sadan, Maya
Houben, Lothar
Naveh, Doron
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41598-018-34222-z
URN
urn:nbn:de:101:1-2018122023003684149216
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:51 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Stern, Chen
  • Grinvald, Shmuel
  • Kirshner, Moshe
  • Sinai, Ofer
  • Oksman, Mark
  • Alon, Hadas
  • Meiron, Oren E.
  • Bar-Sadan, Maya
  • Houben, Lothar
  • Naveh, Doron
  • SpringerLink (Online service)

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