Hochschulschrift
Latent gate oxide damage induced by ultra-fast electrostatic discharge
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783891919835
3891919832
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IV, 171 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Zürich, Eidgenössische Techn. Hochsch., Diss., 1995
- Erschienen in
-
Series in microelectronics ; Vol. 51
- Schlagwort
-
MOS-Schaltung
Elektrostatische Entladung
Nanosekundenbereich
Gate-Oxid
Werkstoffschädigung
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Konstanz
- (wer)
-
Hartung-Gorre
- (wann)
-
1995
- Urheber
-
Reiner, Joachim C.
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:41 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Reiner, Joachim C.
- Hartung-Gorre
Entstanden
- 1995
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