Andreas Hangleiter
Has participated in:
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Analysis of Loss Processes in GaN-based LEDs
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Nichtstrahlende Rekombination über tiefe Störstellen in Silizium
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Untersuchung von Rekombinationsprozessen und "tiefen" Störstellen in Silizium
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Wachstum und Charakterisierung von ein- und zweidimensional gitterangepasstem AlInN auf GaN verschiedener Orientierungen für verspannungsfreie und metamorphe Puffer-Schichten