Hochschulschrift

Optoelectronic properties of GaN nanostructures and novel II-III oxynitrides grown by molecular beam epitaxy

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783946379454
3946379451
Maße
21 cm
Umfang
194 Seiten
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Illustrationen, Diagramme
Technische Universität München, Dissertation, 2022

Erschienen in
Selected topics of semiconductor physics and technology ; vol. 245

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Physik

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Garching
(wer)
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
(wann)
August 2022
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:52 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • August 2022

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