Hochschulschrift
Optoelectronic properties of GaN nanostructures and novel II-III oxynitrides grown by molecular beam epitaxy
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783946379454
3946379451
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
194 Seiten
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Illustrationen, Diagramme
Technische Universität München, Dissertation, 2022
- Erschienen in
-
Selected topics of semiconductor physics and technology ; vol. 245
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
Physik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Garching
- (wer)
-
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
- (wann)
-
August 2022
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:52 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Kraut, Max
- Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
- Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
Entstanden
- August 2022
Ähnliche Objekte (12)
Epitaxy of nanostructures
Group IV epitaxy for advanced nano- and optoelectronic applications
Group IV Epitaxy for Advanced Nano- and Optoelectronic Applications
Indium gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications
On the doping of Silicon nanowires grown by molecular beam epitaxy
Oxygen engineered hafnium oxide thin films grown by reactive beam epitaxy
Self-assembled nanostructures for photon management in optoelectronic devices
Semiconductor nanostructures for optoelectronic devices : processing, characterization and applications
Oxygen Engineered Hafnium Oxide Thin Films grown by Reactive Molecular Beam Epitaxy
Electrical characterization of ZnO thin films grown by molecular beam epitaxy
High quality epitaxial Mn2Au (001) thin films grown by molecular beam epitaxy
One-dimensional carbon nanostructures grown from permalloy catalyst nanoparticles
Epitaxy of nanostructures
Group IV epitaxy for advanced nano- and optoelectronic applications
Group IV Epitaxy for Advanced Nano- and Optoelectronic Applications
Indium gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications
On the doping of Silicon nanowires grown by molecular beam epitaxy
Oxygen engineered hafnium oxide thin films grown by reactive beam epitaxy
Self-assembled nanostructures for photon management in optoelectronic devices
Semiconductor nanostructures for optoelectronic devices : processing, characterization and applications
Oxygen Engineered Hafnium Oxide Thin Films grown by Reactive Molecular Beam Epitaxy
Electrical characterization of ZnO thin films grown by molecular beam epitaxy
High quality epitaxial Mn2Au (001) thin films grown by molecular beam epitaxy
One-dimensional carbon nanostructures grown from permalloy catalyst nanoparticles
Epitaxy of nanostructures
Group IV epitaxy for advanced nano- and optoelectronic applications
Group IV Epitaxy for Advanced Nano- and Optoelectronic Applications
Indium gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications
On the doping of Silicon nanowires grown by molecular beam epitaxy
Oxygen engineered hafnium oxide thin films grown by reactive beam epitaxy
Self-assembled nanostructures for photon management in optoelectronic devices
Semiconductor nanostructures for optoelectronic devices : processing, characterization and applications
Oxygen Engineered Hafnium Oxide Thin Films grown by Reactive Molecular Beam Epitaxy
Electrical characterization of ZnO thin films grown by molecular beam epitaxy
High quality epitaxial Mn2Au (001) thin films grown by molecular beam epitaxy