Hochschulschrift
Optoelectronic properties of GaN nanostructures and novel II-III oxynitrides grown by molecular beam epitaxy
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783946379454
3946379451
- Maße
-
21 cm
- Umfang
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194 Seiten
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
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Illustrationen, Diagramme
Technische Universität München, Dissertation, 2022
- Erschienen in
-
Selected topics of semiconductor physics and technology ; vol. 245
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
Physik
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Garching
- (wer)
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Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
- (wann)
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August 2022
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:52 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Kraut, Max
- Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
- Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
Entstanden
- August 2022