The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-temperature Crystallization using a Tantalum Catalytic Layer
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
2045-2322
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-temperature Crystallization using a Tantalum Catalytic Layer ; volume:7 ; number:1 ; day:7 ; month:9 ; year:2017 ; pages:1-10 ; date:12.2017
Scientific reports ; 7, Heft 1 (7.9.2017), 1-10, 12.2017
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
-
Shin, Yeonwoo
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Kim, Sang Tae
Kim, Kuntae
Kim, Mi Young
Oh, Saeroonter
Jeong, Jae Kyeong
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1038/s41598-017-11461-0
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2018071718055632802676
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:21 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Shin, Yeonwoo
- Kim, Sang Tae
- Kim, Kuntae
- Kim, Mi Young
- Oh, Saeroonter
- Jeong, Jae Kyeong
- SpringerLink (Online service)
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