Highly-doped germanium nanowires: fabrication, characterization, and application
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Dresden, Technische Universität Dresden, Dissertation, 2023
- Schlagwort
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Dotierung
n-Halbleiter
Silicium
Germanium
Ionenimplantation
Nanostrukturiertes Material
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Dresden
- (wer)
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Technische Universität Dresden
- (wann)
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2023
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
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urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-865579
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:54 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Echresh, Ahmad
- Georgiev, Yordan M.
- Rebohle, Lars
- Helm, Manfred
- Erbe, Artur
- Technische Universität Dresden
Entstanden
- 2023