Hochschulschrift | Online-Publikation

Modellierung eines Plasmaätzverfahrens am Beispiel der Ätzung einer Siliziumoberfläche durch ein Chlor-Argon-Plasma

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Stuttgart, Univ., Diss., 2003

Klassifikation
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Schlagwort
Silicium
Halbleiteroberfläche
Plasmaätzen
Chlor
Argon
Prozesssimulation
Silicium
Plasmaätzen
Elektron-Molekül-Stoß
Inelastischer Stoß
Energiespektrum
Plasmaätzen

Urheber

URN
urn:nbn:de:bsz:93-opus-15404
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:50 MEZ

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Objekttyp

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