Hochschulschrift
Untersuchungen zum CVD-Wachstum von Silizium und Germanium auf Si(111)
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
II, 168 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Ulm, Univ., Diss., 2002
- Schlagwort
-
Silicium
Kristallfläche
Disilan
Digermane
CVD-Verfahren
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:42 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
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