Hochschulschrift

Herstellung und Charakterisierung von InAs-Quantenpunkten auf implantationsdotiertem GaAs (001)

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Bochum, Univ., Diss., 2003

Schlagwort
Quantenpunkt
Indiumarsenid
Ionenimplantation
Elektrolumineszenz
Photolumineszenz
DLTS
Quantenpunkt
Elektrolumineszenz
Ionenimplantation
DLTS
Photolumineszenz

Urheber

URN
urn:nbn:de:hbz:294-7730
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:52 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

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