Hochschulschrift
Preparation and characterization of carbon nanotube based vertical interconnections for integrated circuits : = Herstellung und Charakterisierung von auf Kohlenstoffnanoröhren basierenden vertikalen Kontakten im Metallisierungssystem für integrierte Schaltkreise
- Weitere Titel
-
Herstellung und Charakterisierung von auf Kohlenstoffnanoröhren basierenden vertikalen Kontakten im Metallisierungssystem für integrierte Schaltkreise
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783944640235
- Maße
-
25 cm
- Umfang
-
193 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2014
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
ULSI
Integration
Kohlenstoff-Nanoröhre
Durchkontaktieren
Metallisieren
Kontaktwiderstand
Elektrische Eigenschaft
CVD-Verfahren
Integration
Metall
Rasterkraftmikroskopie
Kontakt
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:52 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Fiedler, Holger
- Univ.-Verl.
Entstanden
- 2014
Ähnliche Objekte (12)
Preparation and characterization of Carbon Nanotube based vertical interconnections for integrated circuits : Preparation and characterization of Carbon Nanotube based verticalinterconnections for integrated circuits
Interfacing nanomechanics with multi-gated suspended carbon nanotube quantum circuits
Auf Statistikdaten basierende Testsequenz-Optimierung zur Minimierung der Prüfkosten für integrierte Schaltkreise
Integrated Circuits Based on Individual Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : TTL-Schaltkreise
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : - CMOS-Schaltkreise -
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : TTL-Schaltkreise
Digitale Schaltkreise
Digitale Schaltkreise
Carbon nanotube devices
Carbon nanotube devices
Verifikation unvollständiger Schaltkreise
Preparation and characterization of Carbon Nanotube based vertical interconnections for integrated circuits : Preparation and characterization of Carbon Nanotube based verticalinterconnections for integrated circuits
Interfacing nanomechanics with multi-gated suspended carbon nanotube quantum circuits
Auf Statistikdaten basierende Testsequenz-Optimierung zur Minimierung der Prüfkosten für integrierte Schaltkreise
Integrated Circuits Based on Individual Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : TTL-Schaltkreise
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : - CMOS-Schaltkreise -
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : TTL-Schaltkreise
Digitale Schaltkreise
Digitale Schaltkreise
Carbon nanotube devices
Carbon nanotube devices
Verifikation unvollständiger Schaltkreise
Preparation and characterization of Carbon Nanotube based vertical interconnections for integrated circuits : Preparation and characterization of Carbon Nanotube based verticalinterconnections for integrated circuits
Interfacing nanomechanics with multi-gated suspended carbon nanotube quantum circuits
Auf Statistikdaten basierende Testsequenz-Optimierung zur Minimierung der Prüfkosten für integrierte Schaltkreise
Integrated Circuits Based on Individual Single-Walled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : TTL-Schaltkreise
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : - CMOS-Schaltkreise -
Daten digitaler integrierter Schaltkreise : TTL-Schaltkreise
Digitale Schaltkreise
Digitale Schaltkreise
Carbon nanotube devices
Carbon nanotube devices