Tantalum-doped tin oxide thin films using hollow cathode gas flow sputtering technology

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Heliyon (10:10) - Amsterdam : Elsevier - Art.-Id. e30943

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Berlin
(wer)
Technische Universität Berlin
(wann)
2024
Urheber
Huo, Fangfang
Muydinov, Ruslan
Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
Wang, Can
Hartig, Manuel
Alktash, Nivin
Gao, Peng
Szyszka, Bernd

DOI
10.14279/depositonce-20882
Handle
11303/22081
URN
urn:nbn:de:101:1-2407030158158.064720382889
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:47 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Huo, Fangfang
  • Muydinov, Ruslan
  • Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
  • Wang, Can
  • Hartig, Manuel
  • Alktash, Nivin
  • Gao, Peng
  • Szyszka, Bernd
  • Technische Universität Berlin

Entstanden

  • 2024

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