Tantalum-doped tin oxide thin films using hollow cathode gas flow sputtering technology
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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In: Heliyon (10:10) - Amsterdam : Elsevier - Art.-Id. e30943
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Berlin
- (wer)
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Technische Universität Berlin
- (wann)
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2024
- Urheber
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Huo, Fangfang
Muydinov, Ruslan
Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
Wang, Can
Hartig, Manuel
Alktash, Nivin
Gao, Peng
Szyszka, Bernd
- DOI
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10.14279/depositonce-20882
- Handle
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11303/22081
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2407030158158.064720382889
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:47 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Huo, Fangfang
- Muydinov, Ruslan
- Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
- Wang, Can
- Hartig, Manuel
- Alktash, Nivin
- Gao, Peng
- Szyszka, Bernd
- Technische Universität Berlin
Entstanden
- 2024