Hochschulschrift
Elektrisch-feldinduzierte Ramanstreuung an GaAs-(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen]
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
180 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1984
- Schlagwort
-
Smekal-Raman-Effekt
Galliumarsenid
Raman-Effekt
Galliumarsenid
- Urheber
-
Schäffler, Friedrich Franz
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:44 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schäffler, Friedrich Franz
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