Hochschulschrift

Development of a low noise integrated readout electronic for pixel detectors in CMOS technology for a Compton camera

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
III, 183 S.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Siegen, Univ., Diss., 2002 (Nicht für den Austausch)

Schlagwort
Halbleiterdetektor
Compton-Effekt
Ausleseverfahren

Urheber
Hausmann, Joachim

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 12:03 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Hausmann, Joachim

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