Hochschulschrift
Theoretische Bestimmung der Elektronenzustände von Versetzungen und Versetzungsdefekten in Silizium und Germanium
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
128 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Göttingen, Univ., Diss., 1983
- Schlagwort
-
Germanium
Versetzung (Physik)
Halbleiter
Silizium
Germanium
Versetzung
Halbleiter
Silicium
- Urheber
-
Veth, Hermann
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:38 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Veth, Hermann
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